IQE220N15NM5CGSC（MOSFET 晶体管）IMW65R060M2H

IQE220N15NM5CGSC：150V，44 A，22mOhm，OptiMOS™5 低压功率 MOSFET 晶体管，PG-WHTFN-9
系列：OptiMOS™
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 个 N 通道（半桥）
漏源电压（Vdss）：150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44 A
Rds On-漏源导通电阻：22mOhm
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：PG-WHTFN-9
星际金华，明佳达供应，回收IQE220N15NM5CGSC（MOSFET 晶体管）IMW65R060M2H。
IMW65R060M2H：650V、60mΩ、碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管，TO-247-3
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
漏源电压（Vdss）：650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A
Rds On-漏源导通电阻：60mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6V
Qg-栅极电荷：19 nC
Pd-功率耗散：130 W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）